Multistrato

Parametri di produzione di circuiti multistrato e Tolleranze generali

L’elevata complessità dei circuiti stampati e le esigenze di riduzione dello spazio sono i principali fattori che hanno favorito il notevole sviluppo dei circuiti multistrato. Negli ultimi anni Lab Circuits ha incrementato costantemente la produzione di questa tipologia di prodotti.

La struttura classica del circuito multistrato è costituita dai nuclei, composti dagli strati interni di potenza e segnale, e i lati componenti e saldature convenzionali all’esterno.

I nuclei sono formati da una lamina di materiale FR4 (fibra di vetro e resina epossidica con due strati esterni di rame), i quali nel processo produttivo rimangono indipendenti fino al momento della pressatura, quando vengono sottoposti ad un processo di laminatura, isolamento e trattamento chimico che crea una struttura unica, composta dai nuclei, da lamine di pre-preg (lamine di fibra di vetro impregnate di resina epossidica) e da lamine di rame su entrambi i lati nella parte esterna, e ottenuta mediante pressatura ad alta temperatura.

Una volta pressata, la struttura riceve lo stesso trattamento di un circuito a doppia faccia.

PARAMETRI DI PRODUZIONE DI CIRCUITI MULTISTRATO

CLASSE 3 CLASSE 4 CLASSE 5 CLASSE 6 CLASSE 7
Diametro minimo foro metallizzato 0,50 mm
0,30 mm 0,30 mm 0,20 mm 0,15 mm
Diametro minimo foro NON metallizzato 0,60 mm 0,40 mm 0,40 mm 0,30 mm 0,25 mm
Aspect / Ratio (spessore circuito / foro minimo) 5 5 6 8 13 (spessore
massimo 2 mm)
Larghezza / spazio minimo conduttore strati esterni (spessore rame base) 0,30 mm (17 µ m)
0,30 mm (35 µ m)
0,35 mm (70 µ m)
0,20 mm (17 µ m)
0,20 mm (35 µ m)
0,25 mm (70 µ m)
0,15 mm (17 µ m)
0,15 mm (35 µ m)
0,20 mm (70 µ m)
0,125 mm (17 µm)
0,15 mm (35 µm)
0,175 mm (70 µm)
0,100 mm (17 µ)
Larghezza / spazio minimo conduttore strati interni (spessore rame base) 0,25 mm (17 µ m)
0,30 mm (35 µ m)
0,30 mm (70 µ m)
0,15 mm (17 µ m)
0,20 mm (35 µ m)
0,20 mm (70 µ m)
0,125 mm (17 µ m)
0,15 mm (35 µ m)
0,175 mm (70 µ m)
0,10 mm (17 µ m)
0,125 mm (35 µ m)
0,15 mm (70 µ m)
0,075 mm (17 µ m)
0,100 mm (35 µ m)
Corona minima stratiesterni 0.22 mm 0.17 mm 0.13 mm 0.10 mm 0.075 mm
Corona minima strati interni di segnale 0.25 mm 0.22 mm 0.19 mm 0.15 mm 0.125 mm
Isolamento minimo tra foro metallizzato e conduttore 0.40 mm 0.40 mm 0.30 mm 0.25 mm 0.20 mm
Diametro minimo microforo 0,10 mm
(Massimo spessore
di isolamento 0.1 mm)
0,075 mm
(Massimo spessore
di isolamento 0.065 mm)
0,075 mm
(Massimo spessore di
isolamento 0.065 mm)
Piazzola superiore microforo 0.35 mm 0.30 mm 0.25 mm
Piazzola inferiore microforo 0.30 mm 0.25 mm 0.25 mm
Parete minima tra microforo e foro passante / cieco / interrato 0.22 mm 0.15 mm 0.10 mm
Parete minima tra microfori 0.23 mm 0.15 mm 0.10 mm
Parete minima tra microfori a 2 livelli 0.23 mm 0.15 mm 0.10 mm

Ultimo aggiornamento: 13-02-2012
Unità: Millimetri

CLASSE 3 CLASSE 4 CLASSE 5 CLASSE 6 CLASSE 7
Diametro minimo foro metallizzato
Diametro minimo foro metallizzato 20 mil 12 mil 12 mil 8 mil 6 mil
Diametro minimo foro NON metallizzato Diamètre minimum trou NON métallisé 24 mil 16 mil 16 mil 12 mil 10 mil
Aspect / Ratio (spessore circuito / foro minimo) Aspect/Ratio (spessore circuito/foro minimo)) 5 5 6 8 13 (spessore
massimo 80 mils)
Larghezza / spazio minimo conduttore strati esterni (spessore rame base) Larghezza/spazio minimo conduttore strati esterni (spessore rame base) 12 mil (½ oz)
12 mil (1 oz)
14 mil (2 oz)
8 mil (½ oz)
8 mil (1 oz)
10 mil (2 oz)
6 mil (½ oz)
6 mil (1 oz)
8 mil (2 oz)
5 mil (½ oz)
6 mil (1 oz)
7 mil (2 oz)
4 mil (½ oz)
Larghezza / spazio minimo conduttore strati interni (spessore rame base) Larghezza/spazio minimo conduttore strati interni (spessore rame base) 10 mil (½ oz)
12 mil (1 oz)
12 mil (2 oz)
6 mil (½ oz)
8 mil (1 oz)
8 mil (2 oz)
5 mil (½ oz)
6 mil (1 oz)
7 mil (2 oz)
4 mil (½ oz)
5 mil (1 oz)
6 mil (2 oz)
3 mil (½ oz)
4 mil (1 oz)
Corona minima strati esterni Corona minima strati esterni 9 mil 7 mil 5 mil 4 mil 3 mil
Corona minima strati interne di segnale Corona minima strati interne di segnale 10 mil 9 mil 8 mil 6 mil 5 mil
Isolamento minimo tra foro metallizzato e conduttore Isolamento minimo tra foro metallizzato e conduttore 16 mil 16 mil 12 mil 10 mil 8 mil
Diametro minimo microforo Diametro minimo microforo 4 mil
(Massimo spessore di
isolamento 4 mils)
3 mil
(Massimo spessore
di isolamento 3 mils)
3 mil
(Massimo spessore
di isolamento 3 mils)
Piazzola superiore microforo Piazzola superiore microforo 14 mil 12 mil 10 mil
Piazzola inferiore microforo Piazzola inferiore microforo 12 mil 10 mil 10 mil
Parete minima tra microforo e foro passante / cieco / interrato Parete minima tra microforo e foro passante / cieco / interrato 9 mil 6 mil 4 mil
Parete minima tra microfori Parete minima tra microfori 9 mil 6 mil 4 mil
Parete minima tra microfori a 2 livelli Parete minima tra microfori a 2 livelli 9 mil 6 mil 4 mil

Ultimo aggiornamento: 13-02-2012
Unità: Mils

TOLLERANZE GENERALLI MULTISTRATTO

ESTANDAR SPECIALE
Larghezza / spazio conduttore strati esterni (spessore rame base) ±25% (35-70 µm)
±20% (17 µm )
±15% (35-70 µm)
±10% (17 µm)
Larghezza / spazio conduttore strati interni (spessore rame base) ±25% (70 µm )
±20% (17-35 µm )
±15% (35-70 µm)
±10% (17 µm)
Diametro foro metallizzato +0,10 mm / -0,05 mm)
(o equivalente)
+0,10 mm / -0,0 mm
(o equivalente)
Diametro foro NON metallizzato +0,10 mm / -0,0 mm
(o equivalente)
±0,035 mm
(o equivalente)
Spazio senza metallizzazione per scanalatura Mín. 1,0 mm. Mín. 0,75 mm.
Errore posizione scoring ±0,10 mm ±0,075 mm
Nocciolo scoring ±0,15 mm
±0,075 mm
Quote del contorno ± 0,15 mm.
± 0,10 mm.
Spessore finale ±10 % ±5 %
Spessore tra strati ±10 % ±5 %
Spessore di metallizzazione del foro passante (tra top e bottom) Media: 25 µm
Minimo: 20 µm
Media: 35 µm
Minimo: 30 µm
Spessore della metallizzazione del foro cieco/interrato Media: 15 µm
Minimo:13 µm
Media: 25 µm
Minimo: 20 µm
Spessore della metallizzazione del microforo interrato Media: 12 µm
Minimo:10 µm
Media: 12 µm
Minimo: 10 µm
Parete minima tra fori metallizzati dello stesso segnale 0.30 mm 0.25 mm
Parete minima tra fori metallizzati di diverso segnale 0,40 mm. 0,35 mm.
Parete minima tra fori NON metallizzati 0,25 mm. 0,20 mm.
Corona minima foro NON metallizzato 0,25 mm
0,20 mm
Distanza minima tra conduttore e foro NON metallizzato 0,20 mm
0,15 mm
Distanza minima tra conduttore e contorno 0,20 mm
0,15 mm
Scentratura tra contorno e foro Massimo. 0,15 mm. Massimo 0,10 mm.
Scentratura tra piazzola e foro (s. esterni) Massimo. 0,10 mm. Massimo. 0,075 mm.
Scentratura tra piazzola e foro (s. interni) Massimo. 0,15 mm. Massimo. 0,12 mm.
Scentratura tra strati Massimo. 0,10 mm. Massimo. 0,075 mm.
Scentratura tra rame e rivestimento fotosensibile Massimo 0,15 mm. Massimo. 0,075 mm.
Larghezza minima traccia inchiostro fotosensibile 0.08 mm verde
altri colori su richiesta
--
Margine minimo inchiostro fotosensibile 0.06 mm
--
Margine minimo inchiostro serigrafico 0,20 mm
0,15 mm
Larghezza minima traccia legenda 0,125 mm
0,10 mm
Margine minimo inchiostro di grafite 0,20 mm
0,125 mm
Spazio minimo tra inchiostro di grafite 0,50 mm 0,40 mm
Spazio minimo tra grafite e conduttore 0,40 mm 0,30 mm
Margine minimo vernice pelabile 0.8 mm
0,50 mm
Spazio minimo tra vernice pelabile e piazzola 1 mm 0,70 mm
Spazio minimo tra vernice pelabile e contorno 1 mm 0,70 mm
Foro massimo coperto da vernice pelabile 1.80 mm 2 mm
Imbarcamento e torsione spacer Massimo 1% Massimo 0,5 %
Resistenza tra due segnali spacer Minimo 0,5 MOhm Minimo 2,0 MOhm
Continuità elettrica spacer Massimo 10 Ohms -
Contaminazione ionica spacer Massimo 1µg Eq. CINa/cm2 Massimo. 0,8 µg Eq. CINa/cm2
Altre caratteristiche spacer Vedere standard
IPC-A-600 Rev.G jul-04
-

Ultimo aggiornamento: 20-09-2016
Unità: Millimetri

ESTANDAR SPECIALE
Larghezza / spazio conduttore strati esterni (spessore rame base) Larghezza/spazio conduttore strati esterni (spessore rame base) ±20% (½ oz )
±25% (1-2 oz )
±10% (½ oz )
±15% (1 - 2 oz)
Larghezza / spazio conduttore strati interni (spessore rame base) Larghezza/spazio conduttore strati interni (spessore rame base) ±20% (½ - 1 oz)
±25% (2 oz)
±10% (½ oz )
±15% (1 - 2 oz )
Diametro foro metallizzato Diametro foro metallizzato +4 mil / -2 mil
(o equivalente)
+4 mil / -0,0 mil
±2 mil
Diametro foro NON metallizzato Diametro foro NON metallizzato +4 mil / -0,0 mil
(o equivalente)
±1.4 mil
(o equivalente)
Spazio senza metallizzazione per scanalatura Spazio senza metallizzazione per scanalatura Mín. 40 mil. Mín. 30 mil
Errore posizione scoring Errore posizione scanalatura ± 4 mil ± 3 mil
Nocciolo scoring Anima scanalatura ± 4 mil
± 2 mil
Quote del contorno Quote del contorno ± 6 mil.
± 4 mil.
Spessore finale Spessore finale ±10 % ±5 %
Spessore tra strati Spessore tra strati ±10 % ±5 %
Spessore di metallizzazione del foro passante (tra top e bottom) Spessore di metallizzazione del foro passante (tra top e bottom) Media: 0.7 oz
Minimo: 0.6 oz
Media: 1 oz
Minimo: 0.86 oz
Spessore della metallizzazione del foro cieco/interrato Spessore della metallizzazione del foro cieco/interrato Media: 0.4 oz.
Minimo: 0.37 oz.
Media: 0.7 oz.
Minimo: 0.6 oz.
Spessore della metallizzazione del microforo interrato Spessore della metallizzazione del microforo interrato Media: 0.4 oz.
Minimo:0.37 oz.
Media: 0.7 oz.
Minimo: 0.6 oz.
Parete minima tra fori metallizzati dello stesso segnale Parete minima tra fori metallizzati dello stesso segnale 12 mil. 10 mil.
Parete minima tra fori metallizzati di diverso segnale Parete minima tra fori metallizzati di diverso segnale 16 mil. 14 mil.
Parete minima tra fori NON metallizzati Parete minima tra fori NON metallizzati 10 mil. 8 mil.
Corona minima foro NON metallizzato Corona minima foro NON metallizzato 10 mil.
8 mil.
Distanza minima tra conduttore e foro NON metallizzato Distanza minima tra conduttore e foro NON metallizzato 8 mil. 6 mil.
Distanza minima tra conduttore e contorno Distanza minima tra conduttore e contorno 8 mil. 6 mil.
Scentratura tra contorno e foro Scentratura tra contorno e foro Massimo. 6 mil.
Massimo. 4 mil.
Scentratura tra piazzola e foro (s. esterni) Scentratura tra piazzola e foro (s. esterni) Massimo. 4 mil.
Massimo. 3 mil.
Scentratura tra piazzola e foro (s. interni) Scentratura tra piazzola e foro (s. interni) Massimo. 6 mil. Massimo.5 mil.
Scentratura tra strati Scentratura tra strati Massimo. 4 mil.
Massimo. 3 mil.
Scentratura tra rame e rivestimento fotosensibile Scentratura tra rame e rivestimento fotosensibile Massimo. 6 mil. Massimo 3 mil.
Larghezza minima traccia inchiostro fotosensibile Larghezza minima traccia inchiostro fotosensibile 3.15 mil mm verde
altri colori su richiesta
--
Margine minimo inchiostro fotosensibile Margine minimo inchiostro fotosensibile 2.5 mil. --
Margine minimo inchiostro serigrafico Margine minimo inchiostro serigrafico 8 mil. 6 mil.
Larghezza minima traccia legenda Larghezza minima traccia legenda 5 mil. 4 mil.
Margine minimo inchiostro di grafite Margine minimo inchiostro di grafite 8 mil. 5 mil.
Spazio minimo tra inchiostro di grafite Spazio minimo tra inchiostro di grafite 20 mil. 16 mil.
Spazio minimo tra grafite e conduttore Spazio minimo tra grafite e conduttore 16 mil. 12 mil.
Margine minimo vernice pelabile Margine minimo vernice pelabile 32 mil. 20 mil.
Spazio minimo tra vernice pelabile e piazzola Spazio minimo tra vernice pelabile e piazzola 40 mil. 28 mil.
Spazio minimo tra vernice pelabile e contorno Spazio minimo tra vernice pelabile e contorno 40 mil. 28 mil.
Foro massimo coperto da vernice pelabile Foro massimo coperto da vernice pelabile 71 mil. 79 mil.
Imbarcamento e torsione spacer Massimo 1% Massimo 0,5 %
Resistenza tra due segnali spacer Minimo 0,5 MOhm Minimo 2,0 MOhm
Continuità elettrica spacer Massimo 10 Ohms -
Contaminazione ionica spacer Massimo. 1µg Eq. CINa/cm2 Massimo 0,8 µg Eq. CINa/cm2
Altre caratteristiche spacer Vedere standard
IPC-A-600 Rev.E 8-95
-

Ultimo aggiornamento: 20-09-2016
Unità: Mils