Multilayer

Herstellungsparameter Multilayer-Leiterplatten und Allgemeine Toleranzen

Der hohe Grad an Komplexität und die Platzminimierung der Leiterplatten sind die wichtigsten Gründe für die zunehmende Entwicklung von Multilayer-Leiterplatten. In den vergangenen Jahren hat Lab Circuits für derartige Leiterplatten stetig steigende Produktionszahlen verzeichnet.

Der klassische Aufbau einer Multilayer-Leiterplatte umfasst die Kerne, bestehend aus den internen Masse- und Signalseiten, sowie die Seiten für Bauteile und herkömmliche Lötstellen auf der Außenseite.

Die Leiterplattenkerne sind aus FR4-Standardmaterial (Glasfaser und Epoxidharz mit zwei Kupfer-Außenschichten) und unterliegen bis zum dem Augenblick des Pressens einem eigenständigen Herstellungsprozess. Das heißt, sie durchlaufen eine Laminierung, Isolierung und chemische Behandlung, bis schließlich eine einzige Platine geschaffen wird, auf der die Leiterplatten mit Prepregs (mit Epoxidharz getränkte Glasfasermatten) und Kupferlagen auf beiden Außenseiten kombiniert werden. Diese Verbindung wird mithilfe einer Heißpresse hergestellt.

Im Anschluss an den Pressvorgang erhält diese Platine die gleiche Behandlung wie eine doppelseitige Leiterplatte.

HERSTELLUNGSPARAMETER MULTILAYER-LEITERPLATTEN

KLASSE 3 KLASSE 4 KLASSE 5 KLASSE 6 KLASSE 7
Mindestdurchmesser metallisierte Bohrung 0,50 mm
0,30 mm 0,30 mm
0,20 mm 0,15 mm
Mindestdurchmesser NICHT metallisierte Bohrung 0,60 mm 0,40 mm 0,40 mm 0,30 mm 0,25 mm
Aspect / Ratio (Leiterplattendicke / Mindestbohrdurchmesser) 5 5 6 8 13 (maximale
dicke 2 mm)
Mindestbreite / abstand Leiterbahn auf Außenlagen (Dicke Kupferbasis) 0,30 mm (17 µ m)
0,30 mm (35 µ m)
0,35 mm (70 µ m)
0,20 mm (17 µ m)
0,20 mm (35 µ m)
0,25 mm (70 µ m)
0,15 mm (17 µ m)
0,15 mm (35 µ m)
0,20 mm (70 µ m)
0,125 mm (17 µm)
0,15 mm (35 µm)
0,175 mm (70 µm)
0,100 mm (17 µ)
Mindestbreite / abstand Leiterbahn auf Innenlagen (Dicke Kupferbasis) 0,25 mm (17 µ m)
0,30 mm (35 µ m)
0,30 mm (70 µ m)
0,15 mm (17 µ m)
0,20 mm (35 µ m)
0,20 mm (70 µ m)
0,125 mm (17 µ m)
0,15 mm (35 µ m)
0,175 mm (70 µ m)
0,10 mm (17 µ m)
0,125 mm (35 µ m)
0,15 mm (70 µ m)
0,075 mm (17 µ m)
0,100 mm (35 µ m)
Mindestring auf Außenlagen 0.22 mm 0.17 mm 0.13 mm 0.10 mm 0.075 mm
Mindestring auf Signal-Innenlagen 0.25 mm 0.22 mm 0.19 mm 0.15 mm 0.125 mm
Mindestisolierung zwischen Durchkontaktierung und Leiterbahn 0.40 mm 0.40 mm 0.30 mm 0.25 mm 0.20 mm
Mindestdurchmesser Microvia 0,10 mm
(Maximum
Dämmstärke
0.1 mm)
0,075 mm
(Maximum
Dämmstärke
0.065 mm)
0,075 mm
(Maximum
Dämmstärke
0.065 mm)
Oberes Pad Microvia 0.35 mm 0.30 mm 0.25 mm
Unteres Pad Microvia 0.30 mm 0.25 mm 0.25 mm
Mindestwand zwischen Microvia und Durchgangsbohrung / Sackloch / vergrabene Via 0.22 mm 0.15 mm 0.10 mm
Mindestwand zwischen Microvias 0.23 mm 0.15 mm 0.10 mm
Mindestwand zwischen Microvias auf zwei Ebenen 0.23 mm 0.15 mm 0.10 mm

Letzte Aktualisierung: 13-02-2012
Einheiten: Millimeter

KLASSE 3 KLASSE 4 KLASSE 5 KLASSE 6 KLASSE 7
Mindestdurchmesser metallisierte Bohrung Mindestdurchmesser metallisierte Bohrung 20 mil 12 mil 12 mil 8 mil 6 mil
Mindestdurchmesser NICHT metallisierte Bohrung Mindestdurchmesser NICHT metallisierte Bohrung 24 mil 16 mil 16 mil 12 mil 10 mil
Aspect / Ratio (Leiterplattendicke / Mindestbohrdurchmesser) Aspect/Ratio (Leiterplattendicke/Mindestbohrdurchmesser) 5 5 6 8 13 (maximale
dicke 80 mils)
Mindestbreite / abstand Leiterbahn auf Außenlagen (Dicke Kupferbasis) Mindestbreite/-abstand Leiterbahn auf Außenlagen (Dicke Kupferbasis) 12 mil (½ oz)
12 mil (1 oz)
14 mil (2 oz)
8 mil (½ oz)
8 mil (1 oz)
10 mil (2 oz)
6 mil (½ oz)
6 mil (1 oz)
8 mil (2 oz)
5 mil (½ oz)
6 mil (1 oz)
7 mil (2 oz)
4 mil (½ oz)
Mindestbreite / abstand Leiterbahn auf Innenlagen (Dicke Kupferbasis) Mindestbreite/-abstand Leiterbahn auf Innenlagen (Dicke Kupferbasis) 10 mil (½ oz)
12 mil (1 oz)
12 mil (2 oz)
6 mil (½ oz)
8 mil (1 oz)
8 mil (2 oz)
5 mil (½ oz)
6 mil (1 oz)
7 mil (2 oz)
4 mil (½ oz)
5 mil (1 oz)
6 mil (2 oz)
3 mil (½ oz)
4 mil (1 oz)
Mindestring auf Außenlagen Mindestring auf Außenlagen 9 mil 7 mil 5 mil 4 mil 3 mil
Mindestring auf Signal-Innenlagen Mindestring auf Signal-Innenlagen 10 mil 9 mil 8 mil 6 mil 5 mil
Mindestisolierung zwischen Durchkontaktierung und Leiterbahn Mindestisolierung zwischen Durchkontaktierung und Leiterbahn 16 mil 16 mil 12 mil 10 mil 8 mil
Mindestdurchmesser Microvia Mindestdurchmesser Microvia 4 mil
(Maximum
Dämmstärke
4 mils)
3 mil
(Maximum
Dämmstärke
3 mils)
3 mil
(Maximum
Dämmstärke 3 mils)
Oberes Pad Microvia Oberes Pad Microvia 14 mil 12 mil 10 mil
Unteres Pad Microvia Unteres Pad Microvia 12 mil 10 mil 10 mil
Mindestwand zwischen Microvia und Durchgangsbohrung / Sackloch / vergrabene Via Mindestwand zwischen Microvia und Durchgangsbohrung / Sackloch / vergrabene Via 9 mil 6 mil 4 mil
Mindestwand zwischen Microvias Mindestwand zwischen Microvias 9 mil 6 mil 4 mil
Mindestwand zwischen Microvias auf zwei Ebenen Mindestwand zwischen Microvias auf zwei Ebenen 9 mil 6 mil 4 mil

Letzte Aktualisierung: 13-02-2012
Einheiten: Mil

ALLGEMEINE TOLERANZEN MULTILAYER-LEITERPLATTEN

STANDARD SONDERAUSFÜHRUNG
Breite / Abstand Leiterbahn auf Außenlagen (Dicke Kupferbasis) ±25% (35-70 µm)
±20% (17 µm )
±15% (35-70 µm)
±10% (17 µm)
Breite / Abstand Leiterbahn auf Innenlagen (Dicke Kupferbasis) ±25% (70 µm )
±20% (17-35 µm )
±15% (35-70 µm)
±10% (17 µm)
Durchmesser metallisierte Bohrung +0,10 mm / -0,05 mm
(oder gleichwertig)
+0,10 mm / -0,0 mm
(oder gleichwertig)
Durchmesser NICHT metallisierte Bohrung +0,10 mm / -0,0 mm
(oder gleichwertig)
±0,035 mm
(oder gleichwertig)
Nicht metallisierter Durchgang zum Ritzen Min. 1,0 mm. Min. 0,75 mm.
Positionsfehler Ritzen ±0,10 mm ±0,075 mm
Ritzsteg ±0,15 mm
±0,075 mm
Größe Leiterplatte ± 0,15 mm.
± 0,10 mm.
Enddicke ±10 % ±5 %
Dicke zwischen Lagen ±10 % ±5 %
Dicke Metallisierung an Durchgangsbohrung (zwischen top und bottom) Durchschnitt: 25 µm
Minimum: 20 µm
Durchschnitt: 35 µm
Minimum: 30 µm
Dicke Metallisierung an Sackloch / vergrabene Via Durchschnitt: 15 µm
Minimum: 13 µm
Durchschnitt: 25 µm
Minimum: 20 µm
Dicke Metallisierung an vergrabener Microvia Durchschnitt: 12 µm
Minimum:10 µm
Durchschnitt: 12 µm
Minimum: 10 µm
Mindestwand zwischen metallisierten Bohrungen des gleichen Signals 0.30 mm 0.25 mm
Mindestwand zwischen metallisierten Bohrungen mit unterschiedlichem Signal 0,40 mm. 0,35 mm.
Mindestwand zwischen NICHT metallisierten Bohrungen 0,25 mm. 0,20 mm.
Mindestring NICHT metallisierte Bohrung 0,25 mm
0,20 mm
Mindestabstand zwischen Leiterbahn und NICHT metallisierter Bohrung 0,20 mm
0,15 mm
Mindestabstand zwischen Leiterbahn und Leiterplattenrand 0,20 mm
0,15 mm
Versetzung zwischen Rand und Bohrung Max. 0,15 mm.
Max. 0,10 mm.
Versetzung zwischen Pad und Bohrung (Außenseiten) Max. 0,10 mm.
Max. 0,075 mm.
Versetzung zwischen Pad und Bohrung (Innenseiten) Max. 0,15 mm. Max. 0,12 mm.
Versetzung zwischen Lagen Max. 0,10 mm.
Max. 0,075 mm.
Versetzung zwischen Kupfer und Fotolackmaske Max. 0,15 mm. Max. 0,075 mm.
Mindestbreite Fotolackspur 0.08 mm grün
andere Farben auf Anfrage
--
Mindestrand Fotolack 0.06 mm --
Mindestrand Siebdrucklack 0,20 mm
0,15 mm
Mindestbreite Spur Beschriftung 0,125 mm
0,10 mm
Mindestbreite Graphitlack 0,20 mm
0,125 mm
Mindestfreiraum zwischen Graphitlack 0,50 mm 0,40 mm
Mindestfreiraum zwischen Graphit und Leiterbahn 0,40 mm 0,30 mm
Mindestrand abziehbarer Schutzlack 0.8 mm
0,50 mm
Mindestrand zwischen abziehbarem Schutzlack und Pad 1 mm 0,70 mm
Mindestrand zwischen abziehbarem Schutzlack und Leiterplattenrand 1 mm 0,70 mm
Mit abziehbarem Schutzlack überzogene maximale Bohrung 1.80 mm 2 mm
Verzug und Verwindung spacer Maximum 1% Maximum 0,5 %
Widerstand zwischen zwei Signalen spacer Minimum 0,5 MOhm Minimum 2,0 MOhm
Stromdurchgang spacer Maximum 10 Ohms -
Ionische Verschmutzung spacer Max. 1µg Eq. CINa/cm2 Max. 0,8 µg Eq. CINa/cm2
Sonstige Eigenschaften spacer Siehe Standard
IPC-A-600 Rev.G jul-04
-

Letzte Aktualisierung: 20-09-2016
Einheiten: Millimeter

STANDARD SONDERAUSFÜHRUNG
Breite / Abstand Leiterbahn auf Außenlagen (Dicke Kupferbasis) Breite/Abstand Leiterbahn auf Außenlagen (Dicke Kupferbasis) ±20% (½ oz )
±25% (1-2 oz )
±10% (½ oz )
±15% (1 - 2 oz)
Breite / Abstand Leiterbahn auf Innenlagen (Dicke Kupferbasis) Breite/Abstand Leiterbahn auf Innenlagen (Dicke Kupferbasis) ±20% (½ - 1 oz)
±25% (2 oz)
±10% (½ oz )
±15% (1 - 2 oz )
Durchmesser metallisierte Bohrung Durchmesser metallisierte Bohrung +4 mil / -2 mil
(oder gleichwertig)
+4 mil / -0,0 mil
±2 mil
Durchmesser NICHT metallisierte Bohrung Durchmesser NICHT metallisierte Bohrung +4 mil / -0,0 mil
(oder gleichwertig)
±1.4 mil
(oder gleichwertig)
Nicht metallisierter Durchgang zum Ritzen Nicht metallisierter Durchgang zum Ritzen Min. 40 mil. Min. 30 mil
Positionsfehler Ritzen Positionsfehler Ritzen ± 4 mil ± 3 mil
Ritzsteg Ritzsteg ± 4 mil
± 2 mil
Größe Leiterplatte Größe Leiterplatte ± 6 mil.
± 4 mil.
Enddicke Enddicke ±10 % ±5 %
Dicke zwischen Lagen Dicke zwischen Lagen ±10 % ±5 %
Dicke Metallisierung an Durchgangsbohrung (zwischen top und bottom) Dicke Metallisierung an Durchgangsbohrung (zwischen top und bottom) Durchschnitt: 0.7 oz
Minimum: 0.6 oz
Durchschnitt: 1 oz
Minimum: 0.86 oz
Dicke Metallisierung an Sackloch / vergrabene Via Dicke Metallisierung an Sackloch / vergrabene Via Durchschnitt: 0.4 oz.
Minimum: 0.37 oz.
Durchschnitt: 0.7 oz.
Minimum: 0.6 oz.
Dicke Metallisierung an vergrabener Microvia Dicke Metallisierung an vergrabener Microvia Durchschnitt: 0.4 oz.
Minimum:0.37 oz.
Durchschnitt: 0.7 oz.
Minimum: 0.6 oz.
Mindestwand zwischen metallisierten Bohrungen des gleichen Signals Mindestwand zwischen metallisierten Bohrungen des gleichen Signals 12 mil. 10 mil.
Mindestwand zwischen metallisierten Bohrungen mit unterschiedlichem Signal Mindestwand zwischen metallisierten Bohrungen mit unterschiedlichem Signal 16 mil. 14 mil.
Mindestwand zwischen NICHT metallisierten Bohrungen Mindestwand zwischen NICHT metallisierten Bohrungen 10 mil. 8 mil.
Mindestring NICHT metallisierte Bohrung Mindestring NICHT metallisierte Bohrung 10 mil.
8 mil.
Mindestabstand zwischen Leiterbahn und NICHT metallisierter Bohrung Mindestabstand zwischen Leiterbahn und NICHT metallisierter Bohrung 8 mil. 6 mil.
Mindestabstand zwischen Leiterbahn und Leiterplattenrand Mindestabstand zwischen Leiterbahn und Leiterplattenrand 8 mil. 6 mil.
Versetzung zwischen Rand und Bohrung Versetzung zwischen Rand und Bohrung Max. 6 mil.
Max. 4 mil.
Versetzung zwischen Pad und Bohrung (Außenseiten) Versetzung zwischen Pad und Bohrung (Außenseiten) Max. 4 mil.
Max. 3 mil.
Versetzung zwischen Pad und Bohrung (Innenseiten) Versetzung zwischen Pad und Bohrung (Innenseiten) Max. 6 mil. Max. 5 mil.
Versetzung zwischen Lagen Versetzung zwischen Lagen Max. 4 mil.
Max. 3 mil.
Versetzung zwischen Kupfer und Fotolackmaske Versetzung zwischen Kupfer und Fotolackmaske Max. 6 mil. Max. 3 mil.
Mindestbreite Fotolackspur Mindestbreite Fotolackspur 3.15 mil. grün
andere Farben auf Anfrage
--
Mindestrand Fotolack Mindestrand Fotolack 2.5 mil. --
Mindestrand Siebdrucklack Mindestrand Siebdrucklack 8 mil. 6 mil.
Mindestbreite Spur Beschriftung Mindestbreite Spur Beschriftung 5 mil. 4 mil.
Mindestbreite Graphitlack Mindestbreite Graphitlack 8 mil.
5 mil.
Mindestfreiraum zwischen Graphitlack Mindestfreiraum zwischen Graphitlack 20 mil. 16 mil.
Mindestfreiraum zwischen Graphit und Leiterbahn Mindestfreiraum zwischen Graphit und Leiterbahn 16 mil. 12 mil.
Mindestrand abziehbarer Schutzlack Mindestrand abziehbarer Schutzlack 32 mil. 20 mil.
Mindestrand zwischen abziehbarem Schutzlack und Pad Mindestrand zwischen abziehbarem Schutzlack und Pad 40 mil. 28 mil.
Mindestrand zwischen abziehbarem Schutzlack und Leiterplattenrand Mindestrand zwischen abziehbarem Schutzlack und Leiterplattenrand 40 mil. 28 mil.
Mit abziehbarem Schutzlack überzogene maximale Bohrung Mit abziehbarem Schutzlack überzogene maximale Bohrung 71 mil. 79 mil.
Verzug und Verwindung spacer Maximum 1% Maximum 0,5 %
Widerstand zwischen zwei Signalen spacer Minimum 0,5 MOhm Minimum 2,0 MOhm
Stromdurchgang spacer Maximum 10 Ohms -
Ionische Verschmutzung spacer Max. 1µg Eq. CINa/cm2 Max. 0,8 µg Eq. CINa/cm2
Sonstige Eigenschaften spacer Siehe Standard
IPC-A-600 Rev.E 8-95
-

Letzte Aktualisierung: 20-09-2016
Einheiten: Mil